工欲善其事必先利其器，高速电路的仿真离不开的就是Model Integrity模拟工具，而Model Integrity模拟中使用的模型是IBIS模型文件Model Integrity不仅可以用来浏览模型，还可以检查IBIS模型或DML模型（Cadence模型格式)语法。
(1)结构化SPICE该模型仅适用于组件和网络较少的小规模系统模拟。通过这种方法设置系统的设计标准或分析实际网络的最坏情况； (2)元器件结构化SPICE模型难度大，部件制造商不愿意提供包含其电路设计、制造工艺等信息SPICE模型； (3)各商业版SPICE供应商提供的软件不兼容SPICE其他模型可能是模型SPICE模拟器不能工作。
因此，人们需要一种不涉及元器件设计和制造技术的可接受性 能够准确描述组件特性的黑盒模型，IBIS因此应运而生。
(1)电压/电流/电容压/电流/电容等节点关系； （2）每个BUFFER描述/模拟中的元件； (3)模拟速度过慢，适用于电路级设计师； (4)包含芯片内部设计的详细信息。 (1)电压/电流/时间等BUFFER基于节点关系U-I或U-t数据曲线； (2)不包括电路细节； (3)模拟速度快(是)SPICE25倍仿真)，适用于系统设计； (4)不包括芯片内部的设计信息。
以下为IBIS模型结构图： 
(1)输入模型结构可细化如下图所示: C_pkg, R_pkg, L_pkg包装参数； C_comp在硅片上引脚的压焊盘电容器； Power_Clamp为低端ESD结构的U-I曲线； GND_Clamp为低端ESD结构的U-I曲线。
(2)输出模型结构也可细化如下图所示: A、元素1为Pullup，Pulldown，它包和下拉包含高电平和低电平状态U-I曲线；模拟缓冲单元驱动到低电平或高电平U-I特性； B、元素2为Ramp，上升边和下降边的摆率包括（dU/dt），指输出电压从20-80%的电压输出范围所需的时间。为了更准确地描述上升和下降的过程，有上升和下降的过程U-t曲线； C、元素3为Power/GND Clamp，包括电源和地面钳位保护电路U-I特性； D、元素4为C_comp，它包含硅片本身固有的寄生电容器； E、元素5为RLC，它代表了包装的寄生参数特性，可以进一步详细描述组件的所有引脚。
IBIS进一步详细介绍模型，以后会单独发表一篇文章，这里只做简要介绍，下面一起学习Model Integrity仿真工具。
一、如下所示为Model Integrity工具界面： 界面介绍： (1)左侧工作区域主要用于显示打开的模型文件名，模型名前一般有一些图形符号(如上图所示的红叉): 红X：表示调入模型有语法错误； 黄√：表示转入模型有语法警告； 绿√：表示调入模型完全正确。
图形化的“I说明这个模型是IBIS格式，图形化D”表示是DML格式。
下面的“Physical”和“Object View显示模式用于切换模型名称。
(2)右栏主要显示模型文件的实际内容，其中: 蓝字体是关键字； 绿字是注释； 黑字体是普通文本； 红色是错误的标志； 黄色是警告标志。
(3)下列为输出窗口，显示Model Integrity各种功能示模式： Parse Messages模式： 语法分析和确认显示模型文件中的错误和警告信息；
Log File模型：显示模型日志文件；
Find in Files模式： 搜索快捷键如下图所示： (4)在下面的状态栏中，主要功能之一是快速跳转到某一行比如在这里输入12，点击旁边的按钮跳转到模型句子中的第12行:
二、Model Integrity模型格式换格式如下： 从IBIS格式转换到DML格式； 从Quad格式转换到DML格式； 从Espice格式转换到Spice格式。 操作如下：Tools–Translation Options,格式转换界面可以打开： 三、Model Integrity通过调入，还提供了图形接口SigWave在模型中查看任何内容IOcell的所有U-I、U-t曲线，这些波形曲线包括Pullup、Pulldown、GND_clamp、POWER_clamp、Raising Curve、Failing Curve的Type、Min、Max三种数据类型。
例如：选择任一IOcell模型，单击鼠标右键，选择View Curve可选择要查看的曲线，SigWave窗户弹出。
使用Model Integrity集成的Signoise接口即可对IOcell模型模拟验证，用鼠标右键单击任何一个IOcell选择模型Simulate可以模拟验证。
四、Model Integrity还会在调入IBIS在模型中自动进行语法检查，并在出错或警告前标记相关标志，通过以下快捷键快速找到这些问题： 这里五个快捷键的功能是： 下一个错误，上一个错误，下一个警告，上一个警告，清除所有标志。