富士通型号MB85RC04V是一款FRAM芯片位宽为512字×8位采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC04V数据可以在不使用数据备份电池的情况下保留。MB85RC04V非易失性存储单元的读写寿命至少提高到1012个周期，数量明显优于其他非易失性存储产品。MB85RC04V写入存储器后，铁电存储器不需要轮询序列，如闪存或E2PROM的情况。
特点 ?位配置：512字×8位 ?两线串行接口：完全由两个端口控制：串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）。 ?工作频率：1MHz（最大） ?阅读/写作：1012次/字节 ?数据保留:10年( 85℃)、95年( 55℃)、超过200年( 35℃) ?工作电源电压：3.0V至5.5V ?低功耗：90工作电源电流μA(Typ@1MHz)，待机电流5μA（典型值） ?工作环境温度范围：40℃至 85℃ ?封装：8-SOP RoHS合规
I2C(内部集成电路) MB85RC04V两线串行接口；I2C作为设备运行的总线。I2C总线定义了主和从设备的通信角色，主端有权启动控制。此外，I2C总线连接是可能的，其中单个主设备连接到多台从属设备以组线配置。在这种情况下，需要从设备中分配一个唯一的设备地址，主设备在指定从设备通过地址通信后开始通信。
FRAM由于结合了非易失性铁电存储器ram以及非易失性存储器的优点。与闪存/相比EEPROM写入优点和非易失性使其非常适合在断电时存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。