新器件封装尺寸缩小 性能增强，损失减少60%
Onsemi 在 PCIM Europe 宣布世界上第一个 TO-Leadless (TOLL) 封装的 SiC MOSFET。晶体管满足了高性能开关设备的快速增长，适用于高功率密度设计。直到最近，SiC 一直使用设备 D2PAK 7 引线包装需要更大的空间。
TOLL 封装面积仅为 9.90 mm x 11.68 mm，与 D2PAK 封装相比，PCB 面积可节省 30%。它的形状只是 2.30 毫米，占用体积比 D2PAK 封装小 60%。
除尺寸较小外，TOLL 还提供包装比例 D2PAK 7 导线具有更好的热性能和更低的包装电感 (2 nH)。其开尔文源配置确保了较低的栅极噪声和开关损耗 - 与没有开尔文配置的设备相比，包括开启损耗 (EON) 降低 60%确保在具有挑战性的电源设计中显著提高效率和功率密度 EMI 和更容易的 PCB 设计。
Onsemi 高级副总裁兼高级电力部总经理 Asif Jakwani 在小空间内提供高度可靠的电源设计的能力正成为包括工业、高性能电源和服务器应用在内的许多领域的竞争优势。 . 让我们一流 SiC MOSFET 封装在 TOLL 包装不仅可以减少空间，还可以改善空间 EMI 在许多领域的性能，减少损失。结果是高度可靠、耐用的高性能开关设备，将帮助电源设计师应对严格的电源设计挑战。”
第一款采用 TOLL 封装的 SiC MOSFET 是 NTBL045N065SC1.适用于要求苛刻的应用，包括开关模式电源 (SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和储能。该设备适用于需要满足最具挑战性效率标准的设计，包括 ErP 和 80 PLUS Titanium。
NTBL045N065SC1 的 VDSS 额定值为 650 V，典型 RDS(on) 为 33 mΩ，最大漏极电流 (ID) 为 73 A。基于宽带隙 (WBG) SiC 该设备的最高工作温度为 175 °C 和超低栅极电荷 (QG(tot) = 105 nC)，开关损耗可显著降低。此外，TOLL 封装具有 MSL 1.湿度敏感度 1 级）等级 - 并得到保证 - 确保批量生产中的故障率降低。
永霖光电-UVSIS-发布