通过数字IO口对电容充放电，读取高低电平变化的时间来判断模拟量的值。硬件成本有要求，精度不是很高的情况下可以参考一下。C代码。
/* 项目：数字IO口取A
值
芯片：
6P59P2S2
内部4M 功能：
与电容(224)并联，再串联100欧
到59 PA0 采样一次花时25ms左右 */ #include
#define uint8 unsigned char #define uint16 unsigned int #define bool sbit static volatile section0 sbit CHG_PIN @ (unsigned) &PA * 8 + 0 ; volatile uint8 t8_ms; volatile uint8 adcs_ms; volatile uint8 adcs_value; volatile uint16 delay; volatile bool adcs_en; void Clr_Ram_Asm() { __asm{ LCALL 0X3FF MOVA CALR BCC PSW,RP0 MOVI 0X10 MOVA IAA CLR_BANK0 CLR IAD ;清除存储组0的RAM数据 INC IAA JBS IAA,5 JUMP CLR_BANK0 MOVI 0X30 MOVA IAA CLR_BANK1 CLR IAD ;清除存储组1的RAM数据 INC IAA JBS IAA,6 JUMP CLR_BANK1 MOVI 0X50 MOVA IAA CLR_BANK2 CLR IAD ;清除存储组2的RAM数据 INC IAA JBS IAA,5 JUMP CLR_BANK2 MOVI 0X70 MOVA IAA CLR_BANK3 CLR IAD ;清除存储组3的RAM数据 INC IAA JBS IAA,7 JUMP CLR_BANK3 CLR IAA }; } void Init_Config() { __asm{ MOVI 0XFF MOVA T8 MOVI B'00000000'
ION MOVI B'11110001'
S PA MOVI B'00000000' TRIS PB }; PA = 0B00000000; PB = 0B11111111; INTC0 = 0; T8IF = 0; T8IE = 1; GIE = 1; } void io_charge_cap() { t8_ms++; if(t8_ms == 240) { __asm{ MOVI B'11110000' TRIS PA } CHG_PIN = 1; } else if(t8_ms == 255) { t8_ms = 0; __asm{ MOVI B'11110001' TRIS PA } adcs_en = 1; } } void cap_discharge_timer() { if(adcs_en == 1) { adcs_ms++; //最大时间25ms if(adcs_ms >= 255) adcs_ms = 254; if(CHG_PIN == 0) //电压为1V时认为是低电平 { adcs_value = adcs_ms; adcs_en = 0; } } else { adcs_ms = 0; } } void isr(void) interrupt { if(T8IE&T8IF) { T8IF = 0; T8 += 209; //4M 100us // PA2 = PA2^1; io_charge_cap(); cap_discharge_timer(); } else { T8IF = 0; } } void main() { Clr_Ram_Asm(); Init_Config(); while(1) { __Asm
DT; delay++; if(delay==10000) { delay = 0; PB = adcs_value; } } }
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