在汽车电子的驱动负载的各种应用中，最常见的半导体元件就是了。本文不准备写成一篇介绍功率的技术大全，只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数，以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。
数据表中的参数分为两类：即最大额定值和电气特性值。对于前者，在任何情况下都不能超过，否则器件将永久损害;对于后者，一般以最小值、最大值、和典型值的形式给出，它们的值与测试方法和应用条件密切相关。在实际应用中，若超出电气特性值，器件本身并不一定损坏，但如果设计裕度不足，可能导致电路工作失常。
在功率MOSFET的数据表给出的参数中， 通常最为关心的基本参数为
、
、Qgs、和Vgs。更为高级一些的参数，如ID、Rthjc、SOA、Transfer Curve、EAS等，将在本文的下篇中再做介绍。
为了使每个参数的说明更具备直观性和易于理解，选用了公司的功率MOSFET，型号为IPD90N06S4-04（http://www.infineon.com/optimos-T）。本文中所有的表格和图表也是从IPD90N06S4-04中摘录出来的。下面就对这些参数做逐一的介绍。
： 通态。
是和温度和Vgs相关的参数，是MOSFET重要的参数之一。在数据表中，给出了在室温下的典型值和最大值，并给出了得到这个值的测试条件，详见下表。
除了表格以外，数据表中还给出了通态电阻随着结温变化的数据图。从图中可以看出，结温越高，通态电阻越高。正是由于这个特性，当单个功率MOSFET的电流容量不够时，可以采用多个同类型的功率MOSFET并联来进行扩流。
如果需要计算在指定温度下的
，可以采用以下的计算公式。
上式中 为与工艺技术有关的常数，对于英飞凌的此类功率MOSFET，可以采用0.4作为常数值。如果需要快速的估算，可以粗略认为：在最高结温下的 通态电阻是室温下通态电阻的2倍。下表的曲线给出了
随环境温度变化的关系。
：定义了MOSFET的源级和漏级的最大能购承受的直流电压。在数据表中，此参数都会在数据表的首页给出。注意给出的
值是在室温下的值。
此外，数据表中还会给出在全温范围内（-55 C…+175 C） 
随着温度变化的曲线。
从上表中可以看出，
是随着温度变化的，所以在设计中要注意在极限温度下的 仍然能够满足系统电源对 的要求。
Qgs：数据表中给出了为了使功率MOSFET导通时在给定了的Vds电压下，当Qgs变化时的栅级电荷变化的曲线。从图表中可以看出，为了使MOSFET完全导通，Qgs的典型值约等于10V，由于器件完全导通，可以减少器件的静态损耗。
Vgs：描述了在指定了漏级电流下需要的栅源电压。数据表中给出的是在室温下，当Vds= Vgs时，漏极电流在微安等级时的Vgs电压。数据表中给出了最小值、典型值和最大值。
需要注意的是，在同样的漏极电流下，Vgs电压会随着结温的升高而减小。在高结温的情况下，漏极电流已经接近达到了Idss （漏极电流）。为此，数据表中还会给出一条比常温下指定电流大10倍的漏极电流曲线作为设计参考。如下图所示。
以上介绍了在功率MOSFET数据表中最为设计者关心的基本参数
、
、Qgs、和Vgs。