台积电40V n通道功率mosfet设想事情在PerFET 功率晶体管手艺和事情在40V漏源电压(VDS)。这些mosfet拥有超低的通阻，可湿侧边引线加强AOI。n通道功率mosfet是无卤，吻合RoHS, 100% UIS和Rg测试。n通道功率mosfet的典范使用包孕DC-DC转换器，负载开关，螺线管和机电驱动器。
特点
漏源电压(V(DS))
极低的导通电阻
可湿侧翼引线加强AOI
100% UIS和Rg测试
-55°C至175°C的事情结温度
经由过程无铅认证
无卤吻合IEC 61249-2-21
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 1.9欧姆,V (g) = 7, 2.3欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 89数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 1.9欧姆和V (g) = 4.5 V, 2.7欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 49数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 3.2欧姆,V (g) = 7, 3.8欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 45数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 3.2欧姆和V (g) = 4.5 V, 4.5欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 23.7数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 5.6欧姆,V (g) = 7, 6.7欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 27.3数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 5.6欧姆,V (g) = 7, 6.7欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 29数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 5.6欧姆和V (g) = 4.5 V, 7.8欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 14.2数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 5.6欧姆和V (g) = 4.5 V, 7.8欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 16数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7 毫欧和V (g) = 7 V, 8.4欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 19数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7 毫欧和V (g) = 7 V, 8.4欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 21数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7 毫欧和V (g) = 4.5 V, 9.8欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 11数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7 毫欧和V (g) = 4.5 V, 9.8欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 11数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7.6欧姆,V (g) = 7, 9.1欧姆
问(g) V (g) = 10 V, 19数控
R (DS(上)(最大),V (g) = 10 V, 7.6欧姆和V (g) = 4.5 V, 10.6欧姆
问(g) V (g) = 4.5 V, 10.7数控
直流-直流转换器
螺线管机电驱动器
负荷开关