onsemi NXH010P120MNF1 SiC模块包括一个10Mohm 1200V SiC MOSFET半桥和一个F1模块中的NTC热敏电阻。该模块保举的栅电压为18-20V。NXH010P120MNF1拥有改良的RDS(ON),拥有较高的电压和较低的热阻。
特点
保举栅极电压18V - 20V
改良的RDS(ON)在更高的电压
低的热阻
进步服从或更高的功率密度
抉择TIM或不TIM
灵巧解决高可靠性热接口
使用步伐
交直流转换
直粱转换
直流-直流转换
原理图

onsemi NXH010P120MNF1 SiC模块包括一个10Mohm 1200V SiC MOSFET半桥和一个F1模块中的NTC热敏电阻。该模块保举的栅电压为18-20V。NXH010P120MNF1拥有改良的RDS(ON),拥有较高的电压和较低的热阻。
保举栅极电压18V - 20V
改良的RDS(ON)在更高的电压
低的热阻
进步服从或更高的功率密度
抉择TIM或不TIM
灵巧解决高可靠性热接口
交直流转换
直粱转换
直流-直流转换