onsemi NCV51561断绝双通道门驱动器拥有4.5A源和9A汇聚峰值电流，拥有短和立室的传布耽误。NCV51561用于倏地切换到驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。
onsemi NCV51561断绝双通道门驱动器的事情电压高达1500VDC，由两个5kVRMS电断绝门驱动器通道供应。这些通道同意两个低侧，两个高侧开关的多种设置，或拥有可编程死时间的半桥驱动器。
NCV51561供应了其余首要的维护性能，如自力欠压锁定两个门驱动器和死区时候调解性能。
特点
4.5A峰值源，9A峰值汇聚输入电流才能
灵巧的双低侧，双高侧，或半桥门驱动器
两个输入驱动步伐的自力UVLO维护
输入电源电压从6.5V到30V, MOSFET为5V和8V, SiC为13V和17V UVLO，阈值
共模瞬态免疫CMTI大于200V/ns
传布耽误典范的36ns
每一个通道的最大耽误立室
最大脉宽失真
用户可编程输出逻辑
单或双输出模式经由过程ANB
启用或禁用模式
用户可编程的空载
AEC-Q100吻合汽车使用请求
断绝和平安
5kV(RMS)断绝1分钟(依据UL1577请求)和输入通道之间1500V峰值差电压
8000VPK加强断绝电压(依据VDE0884-11请求)
CQC认证吻合GB4943.1-2011
吻合IEC 62386-1的SGS FIMO认证
Pb-Free设置装备摆设
使用步伐
车载充电器
xEV直流-直流转换器
牵引逆变器
充电站
典范使用电路
框图
