二极管集成DMTH15H017LPSWQ n通道加强模式MOSFET旨在最小化R(DS(ON))并坚持使人印象粗浅的开关功能。这类MOSFET拥有高转换服从和100%的无箝位感应开关(UIS)出产测试，确保靠得住和稳重的终端使用。DMTH15H017LPSWQ MOSFET拥有倏地的开关速率和低输出电容。这类MOSFET是无铅的，吻合rohs规范，并支撑出产部件同意流程(PPAP)。典范使用包孕同步整流、电源开关和D类音频放大器。
特点
额外温度175°C:
适用于低温环境
转换效率高
AEC-Q101及格
PPAP才能
低R (DS ):
最小化ON-state丧失
100%无箝位感应开关(UIS)出产测试:
确保更靠得住和茁壮的终端使用
小于1.1mm的包装形状:
适用于薄型使用
低输出电容
切换速度快
无铅实现
经由过程无铅认证
不含卤素和锑
标准
150V(DSS)漏源电压
±20V(GSS)门源电压
200A脉冲漏极电流
50A最大继续体二极管正向电流
-55℃~ 175℃事情温度局限
包:
PowerDI5060-8
UL易燃等级94V-0
分量:
0.097克
使用步伐
同步整流
电源转换装配
D类音频放大器