PANJIT 60V p通道增强型mosfet设想用于最小化通态电阻(R(DS(ON))并坚持优胜的开关功能。这些器件拥有200mA到16A的继续漏极电流，1.1nC到22nC的栅电荷，300mW到50W的功耗。这些mosfet包孕进步前辈的沟槽工艺手艺，并被优化用于继电器驱动器和路线驱动器。
PANJIT p通道60V加强模式mosfet供应SOP-8, SOT-223-3, SOT-23-3, SOT-23-6, SOT-323-3, SOT-563-6和TO-252AA-3包的设想灵活性。AEC-Q101及格的选项可用于汽车使用。
特点
进步前辈的沟槽工艺手艺
漏源极电压(V(DS))
200mA至16A继续漏极电流(I(D))
-20V， +20V栅源电压(V(GS))
4毫欧到240毫欧 ON -resistance (R(DS(ON)))
20ns至65ns典范开机延时时候(td(on))
4.4ns至13ns典范关断耽误时候(td((off))
15ns至42ns回升时候(t(r))
1.1nC到22nC栅极电荷(Q(g))
300mW至50W的功耗(P(d))
sot -8、SOT-223-3、SOT-23-3、SOT-23-6、SOT-323-3、SOT-563-6、TO-252AA-3软件包选项
吻合欧盟RoHS 2011/65/欧盟指令
可提供吻合AEC-Q101规范的选项
使用步伐
继电器驱动步伐
速率线的司机
反极性维护
线性电池充电器
负荷开关
直流-直流转换器
包装图
