Rectron RM150N60HD n通道加强模式功率MOSFET接纳进步前辈的沟槽手艺和设想，供应良好的R(DS(ON))和低栅电荷。该装配拥有稳定性好、匀称性好、单脉冲雪崩能量高的特色。RM150N60HD是硬开关和高频电路，电源开关和不间断电源的现实抉择。
Rectron RM150N60HD n通道加强模式功率MOSFET是一个紧凑的TO-263-2L封装，异常适宜空间无限的使用。
特点
60V漏源极电压(V(DS))
150A继续漏极电流(I(D))
600A脉冲漏极电流(I(DM))
3.6欧姆典范R (DS(上))
163nC门总费用(Q(g))
优异Q(g) x R(DS(on))
220W最大功耗(P(D))
6500pF输出电容(C(ISS))
650pF输入电容(C(OSS))
-55°C至175°C事情结和存储温度局限(T(J)， T(STG))
l - 263 - 2包
Pb-free镀铅
100%的用户界面测试
使用步伐
功率切换使用步伐
硬开关和高频电路
不间断电源
测试电路
规划纲要
