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英飞凌科技DDB6U134N16RR IGBT硅模块的介绍、特性、及应用

英飞凌DDB6U134N16RR IGBT硅模块供应1.35V在100A正向电压和500W的功耗。设置装备摆设事情在-40°C至+150°C的最高温度范围内。英飞凌DDB6U134N16RR IGBT硅模块封装为45mm × 107.5mm × 20.5mm(宽×长×高)。

特点

  • 1.35V at 100A正向电压

  • -40℃~ +150℃最高事情温度

  • 500 w功率消耗

  • 134年,一个输入电流

  • 35一个正向电流

尺寸毫米

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