Rectron RM135N100HD n通道超等沟槽功率MOSFET接纳怪异优化的超等沟槽手艺，可提供高效的高频开关功能。因为极低的R(DS(ON))和Q(g)的组合，传导和开关功率丧失都被最小化。该装配是高频开关和同步整流的现实抉择。
Rectron RM135N100HD n沟道超等沟道功率MOSFET拥有紧凑的TO-263-2L封装，异常适宜空间无限的使用。
特点
100V漏源极电压(V(DS))
135A继续漏极电流(I(D))
500A脉冲漏极电流(I(DM))
3.7欧姆典范R (DS(上))
92nC闸门总费用(Q(g))
优异Q(g) x R(DS(on))
210W最大功耗(P(D))
6400pF输出电容(C(ISS))
731pF输入电容(C(OSS))
-55°C至175°C事情结和存储温度局限(T(J)， T(STG))
l - 263 - 2包
Pb-free镀铅
100%的用户界面测试
使用步伐
直流-直流转换器
高频开关
同步整流
测试电路
包Outlinie
