Rectron RM2312 n通道加强模式功率MOSFET应用进步前辈的沟槽手艺供应优异的R(DS(ON))。MOSFET拥有低栅电荷和低至2.5V栅电压的事情特点。该装配适用于电池维护或其余开关使用。
特点
V(ds) = 20v, i (d) 4.5a
R(DS(ON))小于45毫欧 @ V(GS)=1.8V
R(DS(ON))小于40毫欧 @ V(GS)=2.5V
R(DS(ON))小于33毫欧 @ V(GS)=4.5V
高功率和电流处置才能
取得无铅产物
外貌安装包
使用步伐
电池维护
负荷开关
电源治理
包装3K/卷，9K/盒，72K/纸箱
无卤
P/N后缀V暗示AEC-Q101及格，比方:RM2312V