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Everspin Technologies EMxxLX MRAM存储设备的介绍、特性、及应用

Everspin EMxxLX MRAM存储设置装备摆设是基于怪异的工业STT MRAM手艺的扩大串行核心接口(xSPI)。这些存储设置装备摆设是高性能、多I/O和spi兼容的磁阻随机存取存储器(MRAM)设置装备摆设。EMxxLX存储设置装备摆设拥有高速、低引脚数spi兼容总线接口，时钟频次高达200MHz。这些存储设置装备摆设还具有1.65V到2V的电压局限，主存之外的公用256字节OTP地区，3字节和4字节地点模式，以及低功耗模式。典范的使用包孕工业自动化、数据中央、工程仿真、汽车和运输以及游戏。

特点

  • 扩大的SPIbus接口支撑:

    • 八进制，四边形，双，和繁多SPI和谈

  • 高达200MHz单和双传输速度(STR/DTR)八进制SPI

  • 高达133MHz, SPI, DSPI和QSPI

  • 数据耐力:

    • 有限的读、写和擦除操纵支撑的性命周期的产物

  • 数据保留:

    • 最低气温10年

  • 电平兼容:

    • JESD251和JESD251-1

  • 字节级的读写，不需要像速决内存那样擦除

  • 数据的完整性:

    • 不需要内部ECC

  • 低功耗模式:

    • 小于350μA (64Mb)待机

    • 深度断电~ 50μA w/退出时候小于100μs

  • SPI兼容:

    • NVSRAM, FRAM, NOR，并切换MRAM

  • 用于步伐/擦除模仿NOR兼容的当场施行(XIP)的SPI, xSPI敕令

  • 易失性和非易失性设置配置:

    • 非易失性配置不受回流流维护

  • 主存外公用256字节OTP区:

    • 可读且用户可锁定

    • 应用WRITE OTP敕令永远锁定

    • 不维护回流

  • 删除性能:

    • 芯片/批量擦除和扇区擦除

    • 子扇区擦除4KB，粒度为32KB

  • 平安和写入维护:

    • 16个可设置的硬件写保护地区加之顶部/底部抉择

    • 开机时的步伐/擦除维护

    • CRC敕令检测用户数据的不测变动

  • 电压:

    • 1.65V至2V (1.8V)局限

  • 密度:

    • 8Mb, 16Mb, 32Mb, 64Mb

    • 400MBps的继续吞吐量，OSPI在200MHz, DTR，用于读写

  • 启动模式设置:

    • 启动x1, x2, x4和x8

  • 软件复位和硬件复位引脚可用

  • 3字节和4字节地点模式

  • 电子署名:

    • jedec规范的3字节署名

  • JEDEC规范吻合RoHS的封装:

    • 24球BGA, 6mm x 8mm (5 x 5阵列)

    • 8针DFN, 6mm x 8mm

    • 从-40℃到85℃

    • 0°C到70°C

    • 工业:

  • 工业自动化

  • 数据中央

  • 工程仿真

  • 汽车与交通

  • 游戏

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