德州仪器LMG3522R030 650V 30毫欧 GaN fet包孕一个集成驱动器和开关模式电源转换器的维护。LMG3522R030集成为了一个硅驱动器,同意开关速率高达150V/ns。该器件完成了TI的集成周详栅极偏置,从而完成了比离散硅栅极驱动器更高的开关SOA。这类集成,连系TI的低电感封装,在硬开关电源拓扑中供应清洁的开关和最小的振铃。可调的栅极驱动强度同意将转换速度从20V/ns操纵到150V/ns,这可用于操纵电磁滋扰并自动优化开关功能。
TI LMG3522R030 650V 30毫欧 GaN fet拥有进步前辈的电源治理性能,包孕数字温度呈报和毛病检测。上报的毛病包孕过温、过流、UVLO监控。
特点
650V GaN-on-Si FET集成栅极驱动器
集成高精度栅偏压
200V/ns FET耽误
2MHz开关频次
20V/ns至150V/ns的转换速度,以优化开关功能和减缓EMI
从7.5V到18V供电
进步前辈的电源治理
数字温度PWM输入
壮大的维护
周期过流和闭锁短路维护,呼应小于100ns
硬开关时可经受720V浪涌
自我维护,避免外部过柔和UVLO监控
顶部冷却12mm x 12mm VQFN封装分手电气和热门路的最低功率回路电感
使用步伐
开关模式电源转换器
商户网络和服务器电源模块
商用电信整流器
太阳能逆变器和工业机电驱动
不间断电源
性能框图
