半NTH4L020N090SC1碳化硅(SiC) MOSFET供应比硅更好的开关功能和更高的可靠性。onsemi MOSFET拥有低ON电阻和紧凑的芯片尺寸,以确保低电容和栅极电荷。是以,体系的好处包孕最高的服从、更快的事情频次、更高的功率密度、更小的EMI和更小的体系尺寸。
特点
Typ.R(DS(on)) = 20毫欧 @ V(GS) = 15V
Typ.R(DS(on)) = 16毫欧 @ V(GS) = 18V
超低门电荷(Q(G(tot)) = 196nC)
低无效输入电容(C(oss) = 296pF)
100% UIL测试
该器件无卤化物,吻合RoHS豁免7a,无pb 2LI(二级互连)
使用步伐
联结包裹
直流-直流转换器
进步逆变器