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半NTH4L020N090SC1碳化硅(SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用

半NTH4L020N090SC1碳化硅(SiC) MOSFET供应比硅更好的开关功能和更高的可靠性。onsemi MOSFET拥有低ON电阻和紧凑的芯片尺寸,以确保低电容和栅极电荷。是以,体系的好处包孕最高的服从、更快的事情频次、更高的功率密度、更小的EMI和更小的体系尺寸。

特点

  • Typ.R(DS(on)) = 20毫欧 @ V(GS) = 15V

  • Typ.R(DS(on)) = 16毫欧 @ V(GS) = 18V

  • 超低门电荷(Q(G(tot)) = 196nC)

  • 低无效输入电容(C(oss) = 296pF)

  • 100% UIL测试

  • 该器件无卤化物,吻合RoHS豁免7a,无pb 2LI(二级互连)

使用步伐

  • 联结包裹

  • 直流-直流转换器

  • 进步逆变器

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