Mikroe MRAM 3单击的介绍、特性、及应用

Mikroe MRAM 3单击MRAM 3单击代表磁电阻随机造访存储器解决计划。该板接纳Avalanche Technology AS3001204 1Mb高性能串行SPI MRAM存储器，构造为128K字，每个字8位。MRAM手艺类似于Flash手艺，拥有与SRAM兼容的读/写计时(Persistent SRAM, P-SRAM)，此中数据总黑白易失性的。它还拥有硬件写保护性能，并施行读写操纵，数据保留100万年，写耐力为1014个周期。