功率 BJT 拥有现实的导通状况传导功能;然而,它们是电流操纵器件,需求庞杂的基极驱动电路。因为功率 MOSFET 是电压操纵器件,咱们需求更简略的驱动电路。然而,功率 MOSFET 的首要挑衅是其导通状况电阻会跟着器件击穿电压的增添而增添。在额外电压跨越 200 V 时,与 BJT 相比,MOSFET 的传导功能较差。
IGBT 连系了这两个畛域的好处,完成了高性能电源开关:它既拥有 MOSFET 的驱动简略单纯性,又拥有 BJT 的导通特点。IGBT 的首要问题是寄生 PNPN(晶闸管)布局,这大概致使设置装备摆设毛病。图 1 说了然这类寄生晶闸管的发生。
图片由意法半导体供应。
图片由 Wiley InterScience 供应。
图片由 Powerex 供应。
图片由安森美半导体供应。
图片由 Jong Mun Park 供应。
0次