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低功耗开关电容带隙,第 2 部分

  说明了应用此手艺完成的基础操纵。在本部份中,对传统带隙电路进行了偏差阐发,而后说明了若何应用开关电容电路将这些偏差最小化。图 1 表现了传统带隙基准完成及其相干偏差源。

 

  图 1 中没有偏差源的带隙电压可用下式描绘。

  上面增添偏差源,假定所有失配偏差都是

 

  前提、谬误级别和抉择的设想参数:

  应用上述参数的偏差计较:

  低功耗开关电容带隙,第 2 部份   从上图能够看出,输出平衡电压是首要偏差源,是以消除此偏差对完成正确的带隙电压大有裨益。是以,让我们连续接头开关电容器的完成,看看若何处置此偏差,以及其余偏差的比拟情形。   图 2 表现了开关电容带隙电路,此中添加了一个简略附加部份(标记为“新”),用于施行偏移电压排除。该图是初始采样状况(本系列第一部份中的图 1)的修改版。在此状态下,反馈电容器 C?? 当初一侧连接到共模输入电压 (vcm),另一侧连接到 OTA 的输出,电路中的别的电容器也是云云。是以,在此阶段,输出偏移电压在所有电容器上举行采样。

  图 2

  带偏移校订的初始采样

  鄙人一个状态下,φ1 开关关上,φ2 开关封闭,以前连接到 vcm 的两个 C反馈电容的端子连接到输入。二者坚持沟通的端子电压,是以 OTA 平衡电压已从差分输入中排除。

  带偏移校订的初始采样   传统带隙电路中第二大偏差要素是 R 0 和 R 1之间的不立室。这些电阻用于增添 (R 0 / R 1 ) PTAT 电压。如本系列第一部份所述,在开关电容电路中,PTAT 电压是应用电容比 (2C'/C'') 而不是电阻最近增添的。这是有利的,由于电容器的不立室(每单元面积)远小于多晶硅电阻器的不立室,在我今朝正在研讨的工艺中相差约 5 倍。这将第二大偏差从 6.3 mV下降 到 1.3 mV。   这类开关电容架构的最初一个好处是卓越的电源按捺 (PSR) 功能,这源于电路的差分特点。差分 OTA 的对称设想可对电源上的旌旗灯号举行一级对消。
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