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Renesas - 使用GaN FET改进您的三相高压电机逆变器

  在这个时期,自动化设置装备摆设及逆变器数目的增添正在彻底转变工业和家庭,对温馨生存体式格局的寻求愈来愈依赖于高效靠得住的电源治理解决计划。跟着越来越多的设置装备摆设和体系融入咱们的平常生存,出于经济和环境缘故原由,确保最好动力应用相当首要。这类需要推动了电源操纵和转换手艺的前进,这些手艺在进步电源服从和功能方面发挥着关头感化。   功率因数是电气体系服从的关头抉择要素,由于功率因数越高,无功功率方式的能量浪掷越少。经由过程优化功率因数,企业和家庭能够光鲜明显下降动力损耗和本钱,从而完成更可继续的电力应用。在某些地域,法令请求举行功率因数校订(PFC),以确保无效应用动力并加重电网压力。   往常,大多数开关电源和逆变器都接纳传统的PFC拓扑布局,应用其简单性、低成本和可靠性。这些传统PFC解决计划的配合特点是应用硅MOSFET或绝缘栅双极晶体管(IGBT)。罕见的问题是它们的开关消耗和散热,这在更高功率和更小尺寸下变得拥有挑战性。   跟着市场朝着可以或许以更低本钱供应更高功率的小型器件进展,GaN FET开端发扬首要感化。氮化镓场效应管可完成服从和尺寸的改良,可以对体系总成本发生踊跃影响。

  瑞萨电子的该解决计划演示了若何轻松地将硅器件替换为瑞萨电子氮化镓场效应管(见下图)。

  图片   1.2kW低压逆变器,基于GaN的功率因数校订(PFC)   该体系的关头部件是MCU,它确保了稳固靠得住的体系功能。往常,MCU内核正变得愈来愈一般,外设供应了越来越多的代价,减少了对内部元件的需要并简化了电源电路操纵。   瑞萨电子供应普遍的公用机电操纵MCU和MPU产物组合。   因为氮化镓场效应管的怪异特点,团体体系功能的进步是显而易见的:   进步硬开关和软开关电路的服从   进步功率密度   减小体系尺寸和分量   更简略的散热设想   下降团体体系本钱   瑞萨电子氮化镓场效应晶体管的下一个异常首要的上风是,大多数器件都可以用经常使用的栅极驱动器驱动。此性能同意轻松举行体系进级,从而显著进步服从。   虽然氮化镓场效应晶体管是现今电力电子的明星,但不该遗忘它们与其他部件连系应用可进步体系的团体功能。值得注重的是,逻辑组件常常被忽视或被认为是最初的。它们的首要瑕玷是它们占用的PCB空间,虽然拥有本钱上风,由于它平日需求多个组件。咱们应用瑞萨电子怪异的可编程混杂旌旗灯号器件GreenPAK和HVPAK来应答这一挑衅。在该解决计划中,HVPAK用于过压维护和放电操纵,这是一种相对于较小的设置装备摆设,在自力模式下事情,包括庞杂的状态机,确保靠得住的硬件运转。假如所选MCU不具备此性能,GreenPAK可在硬件中完成简略靠得住的PWM堆叠维护。   从团体趋向来看,机电操纵和逆变器体系也变得越来越小,处置的功率也越来越高。这凸显了对解决计划的需要,该解决计划既能进步功率密度,又能最大限度地缩小总组件数目和解决计划尺寸。
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