在这个时期,自动化设置装备摆设及逆变器数目的增添正在彻底转变工业和家庭,对温馨生存体式格局的寻求愈来愈依赖于高效靠得住的电源治理解决计划。跟着越来越多的设置装备摆设和体系融入咱们的平常生存,出于经济和环境缘故原由,确保最好动力应用相当首要。这类需要推动了电源操纵和转换手艺的前进,这些手艺在进步电源服从和功能方面发挥着关头感化。
功率因数是电气体系服从的关头抉择要素,由于功率因数越高,无功功率方式的能量浪掷越少。经由过程优化功率因数,企业和家庭能够光鲜明显下降动力损耗和本钱,从而完成更可继续的电力应用。在某些地域,法令请求举行功率因数校订(PFC),以确保无效应用动力并加重电网压力。
往常,大多数开关电源和逆变器都接纳传统的PFC拓扑布局,应用其简单性、低成本和可靠性。这些传统PFC解决计划的配合特点是应用硅MOSFET或绝缘栅双极晶体管(IGBT)。罕见的问题是它们的开关消耗和散热,这在更高功率和更小尺寸下变得拥有挑战性。
跟着市场朝着可以或许以更低本钱供应更高功率的小型器件进展,GaN FET开端发扬首要感化。氮化镓场效应管可完成服从和尺寸的改良,可以对体系总成本发生踊跃影响。
瑞萨电子的该解决计划演示了若何轻松地将硅器件替换为瑞萨电子氮化镓场效应管(见下图)。
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