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CSD88539NDT_射频晶体管_德州仪器(TI)

包装信息

包装|销 包装数量|承运商: 工作温度范围(°C)
SOIC(D)| 8 250 |小型T&R -55至150
包装|销 SOIC(D)| 8
包装数量|承运商: 250 |小型T&R
工作温度范围(°C) -55至150
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CSD88539ND的功能

  • 超低Q和Q广东
  • 额定雪崩
  • 无铅
  • 符合RoHS
  • 无卤素

CSD88539ND的说明

这种双SO-8,60v,23mΩNexFET功率MOSFET被设计成在小电流电机控制应用中充当半桥。

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