TPS1100DR_晶体管-FET，MOSFET-单个_德州仪器(TI)

TPS1100的特点

• 低r_DS（开）. . . 0.18V时的典型值_GS公司=-10伏
• 3 V兼容
• 不需要外部V_{科科斯群岛}
• TTL和CMOS兼容输入
• 五_GS（第）=-1.5 V最大值
• 提供超薄TSSOP包装（PW）
• 根据MIL-STD-883C，方法3015，2 kV以下的ESD保护

LinBICMOS是德州仪器公司的商标

TPS1100的说明

TPS1100是一种单P沟道增强型MOSFET。该设备已优化为3-V或5-V电源分配电池供电系统的手段德州仪器LinBiCMOS^商标过程。最大V_GS（第）-1.5V和I_{决策支持系统}TPS1100只有0.5 uA，是低压便携式电池管理系统的理想高压侧开关，最大限度地延长电池寿命是首要问题。低r_DS（开）优良的交流特性（典型上升时间10纳秒）使TPS1100成为低压开关应用的逻辑选择，如用于脉宽调制（PWM）控制器或电机/桥式驱动器的电源开关。

超薄收缩小外形封装或TSSOP（PW）版本，其较小的占地面积和高度降低适合其他P沟道mosfet无法实现的地方。当电路板不动产价格昂贵且高度限制不允许使用小外形集成电路（SOIC）封装时，尺寸优势尤为重要。

这些应用包括笔记本电脑、个人数字助理（pda）、移动电话和PCMCIA卡。对于现有的设计，D封装版本有一个与SOIC封装中的其他p沟道mosfet相同的引脚。

小心。此设备包含保护其输入和输出免受高静电电压或静电场损坏的电路。根据MIL-STD-883C方法3015，这些电路已被鉴定为能够保护该装置免受高达2 kV的静电放电（ESD）的影响；但是，建议采取预防措施，避免对这些高阻抗电路施加任何高于最大额定电压的电压。