电路中耦合电容和直流隔离电容串联，合理选择耦合电容可以保证射频能量的最大传输。
与 ATC 耦合电容器相关的参数如下：
陶瓷介质电容器ATC100A101(100pF)的频率响应和等效串联电阻分别为1 GHz和0.072ω；Z-F曲线如下图所示:
ATC100A101(100pF片式电容，水平安装，电容板平行于电路板)插入损耗与频率的关系如下:
由上图分析可知，在200MHz~1.5GHz之间，电容插损＜0.1dB；若将电容进行垂直结构安装，即电容极板垂直于线路板，就能通过压制1.6GHz处的并联谐振窗口，电容的可用信息范围逐渐扩展到2.4GHz左右。所以我们改变自己安装工作取向可扩展电容的适用不同频率变化范围，用于企业宽带耦合控制电路。
垂直电容的值是: (旁路电容的值也在这里给出)
100MHz取1000pF
400MHz取100pF
900MHz取33pF
1.2GHz取10pF
2.5GHz取5pF
10GHz取1~2pF
0.8pF大于2GHz，采用陶瓷微波片状电容器
100kHz信号用0.01uf电容测的输出为-5dbm，换成0.1uf的，输出为5dBm。 除满足x=1/wc外，频率没有太高时要考虑q值，要用高q值微波进行电容 微波去耦电容也有用以及微带线结构设计，有扇形，有方形，尺寸和工作时间频率分析相关。
体验：用1000P、910P或7800都可以，几十米、两三百都没问题，一到两个G大约是100P，两百就可以了。
在 RF 电路中，电容器通常放置在模块的输入和输出上，因此也称为耦合电容器。选择直接电容器以减少rf信号丢失为原则，理论上公差越大越好（且公差成反比），实际应用由于电容器的处理过程和材料影响，带宽难以考虑。因此，相应的公差通常选择在所用电路中输入和输出阻抗的不到 10 倍。
隔值电容选择举例：
如果信号频率是2500兆赫-2570兆赫，看看电容器的自谐振频率:
1、6.8pF:2821兆赫兹
2、7pF：2793MHz
3、7.5pF：2631 MHz
4、8pF：2563MHz
应用会计准则进行电容自谐振工作频率略大于信号系统频率（或者在自谐振频率明显大于一个信号通过频率的电容中，选择容值最大的那个），上面我们四个电容中，7.5pF电容是最理想的隔直电容。
不同容值的电容，其自谐振出现频率进行不同。在自谐振系统频率处，电容的容抗最小；低于自谐振输出频率，电容以及工作在容性状态；高于自谐振频率，电容主要工作在感性生活状态。
以村田 grm155系列电容器为例，1pf、100pf、1000pf 和10nf 电容器的自谐振频率分别为7054mhz、2240mhz、678.6 mhz、245mhz 和77.35 mhz。电容越大，自谐振频率越低。
在实际应用中，电容的电容往往远小于1法拉，而且单位更小，如毫米法(mF)和微法(μ F)、nF、pF等。，它们的关系是:1微法等于百万分之一法拉；1皮法等于百万分之一微法，即:
1法拉(F)=1000 mm(MF)；1 mm(MF)=1000微法(?F)；1微法(?F)=1000NA法(NF)；1NA法(NF)=1000皮肤法(PF)；即1F=1000000 mm(PF)；即1F，1000000pF。
(1)额定电压，在最低环境温度和额定环境温度下可连续施加于电容器的最高直流电压。如果工作电压超过电容器的耐受电压，电容器就会断裂，造成损坏。在实际应用中，随着温度的升高，耐压值降低。
(2)绝缘电阻。DC电压施加在电容器上，产生漏电流，两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时，其值主要取决于电容的表面状态；当容量大于0.1时，其值主要取决于介质。通常绝缘电阻越大越好。
（3）损耗。电容在电场影响作用下，在单位工作时间通过内因发热所消耗的能量可以称做损耗。损耗与频率变化范围、介质、电导、电容进行金属组成部分的电阻等有关。
（4） 频率特征。随着频率的增加，一般电容器的电容量呈下降趋势。当电容器在共振频率以下运行时，其特征是公差，当它超过其谐振频率时，它表现为电感器，它不是电容器，而是电感器。因此，避免电容器在共振频率之上运行非常重要。