RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
动态 RAM, ISSI
**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。
LVTTL 接口
有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘
可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度
每个时钟周期的随机列地址
自刷新和自动刷新模式
得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
欧时:
### 动态 RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
立创商城:
IS42S32400F 7TL
贸泽:
DRAM 128M 4Mx32 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V
艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
TME:
Memory; SDRAM; 4Mx32bit; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; 0÷70°C; 3.3VDC
Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
型号 | 品牌 | 下载 |
---|---|---|
IS42S32400F-7TL | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |
IS42S16400F-7TLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |
IS42S16100H-7TLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |
IS42S16100H-6TLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |
IS42S16100E-6TLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |
IS42S16100H-6BL-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |
IS42VM16400M-75BLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |
IS42S16100H-6TL-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |
IS42VM16800H-75BLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |
IS42SM32400H-75BLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |
IS42VM32400H-75BLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | 下载 |