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MMBZ6V8AL概述

NXP MMBZ6V8AL 静电保护装置, TVS, 9.6 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW

The is a low capacitance unidirectional double ESD Protection Diode in a common anode configuration. The device is designed for ESD and transient overvoltage protection of up to two signal lines.

.: Unidirectional ESD protection of two lines

.: ESD protection up to 30kV contact discharge

.: Bidirectional ESD protection of one line

.: IEC 61000-4-2, level 4 ESD

.: * 40W Rated peak pulse power PPPM

.: 5nA Ultra low leakage current IRM

MMBZ6V8AL详细参数

MMBZ6V8AL数据文档

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MMBZ6V8AL	NXP 恩智浦	下载
MMBZ9V1ALT1G	ON Semiconductor 安森美	下载
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