P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V G-S MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage|
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最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage|
最大漏极电流IdDrain Current|
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance|
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage|
耗散功率PdPower Dissipation|
Description & Applications|
描述与应用|
DeviceMart:
P-Channel 1.25-W, 1.8-V G-S MOSFET, Vdss -8V, Rdson 0.044Ohm, Id +/-3.5A, TO-236 SOT-23
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| SI2305DS-T1 | VISHAY 威世 | 下载 |
| SI2304DS,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| SI2303-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 下载 |
| SI2304-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 下载 |
| SI2301-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 下载 |
| SI2302-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 下载 |
| SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI2374DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI2305DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI2308DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI2341DS-T1 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |