GT8G121 N沟道场效应管 400v 8A TO252 代码 8G121
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 400V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 最大漏极电流Id Drain Current | 8A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 耗散功率Pd Power dissipation | 描述与应用 Description & Applications | 第四代沟门STEUCTURE 增强型 饱和压降低
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 400V 8A 3-Pin 2-7B5C
Win Source:
N CHANNEL MOS TYPE STROBE FLASH APPLICATIONS