IRL520PBF数据手册PDF_IRL520PBF中文资料-锐单商城

IRL520PBF概述

VISHAY IRL520PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 100 V, 270 mohm, 5 V, 2 V

The is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.

.: Dynamic dV/dt rating

.: -55 to 175°C Operating temperature range

.: Repetitive avalanche rated

.: Logic-level gate drive

.: Ease of paralleling

.: RDS ON Specified at VGS = 4 and 5V

IRL520PBF替代型号

IRL520PBF详细参数

IRL520PBF数据文档

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