SSM6P15FE

SSM6P15FE 复合场效应管 -30V -100mA/-0.1A SOT-563/ES6 marking/标记 DQ 高速开关

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -100mA/-0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 12Ω@ VGS = -4V, ID = -10mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.1~-1.7V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switch Applications ● Small package ● Low ON resistance : Ron = 12 Ω max @VGS = −4 V : Ron = 32 Ω max @VGS = −2.5 V 描述与应用| 场效应硅P沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =12Ω（最大）（@ VGS=-4 V）    RON=32Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V）