UPA1916TE

UPA1916TE P沟道MOS场效应管 -12V 4.5A 0.03ohm SOT-163 marking/标记 TL 4V驱动 低导通电阻

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.03Ω @-2.5A,-4V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.45--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| FEATURES • Can be driven by a 4 V power source • Low on-state resistance RDSon1 = 57 mΩ MAX. VGS = –10 V, ID = –2.5 A RDSon2 = 86 mΩ MAX. VGS = –4.5 V, ID = –2.5 A RDSon3 = 96 mΩ MAX. VGS = –4.0 V, ID = –2.5A 描述与应用| •可驱动4 V的电源 •低通态电阻 的RDS（on）1 =57mΩ最大。 （VGS=-10V，ID=-2.5 A） 的RDS（on）2 =86mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-2.5 A） 的RDS（on）=96mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-2.5A）