F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
F-RAM，
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
立创商城:
CY15B104Q-SXI
欧时:
Cypress Semiconductor CY15B104Q-SXI 4Mbit SPI FRAM 存储器, 512K x 8 位, 2 → 3.6 V, -40 → +85 °C
艾睿:
FRAM 4Mbit Serial-SPI Interface 3.3V 8-Pin SOIC EIAJ Tube
TME:
Memory; FRAM; SPI; 512kx8bit; 4Mbit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Verical:
FRAM 4Mbit Serial-SPI Interface 3.3V 8-Pin SOIC EIAJ Tube
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|---|---|---|
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