FP150R07N3E4_B11

FP150R07N3E4_B11概述

IGBT模块

Summary of Features:

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Increased blocking voltage capability to 650V
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High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current
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Tvj op = 150°C
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VCEsat with positive Temperature Coefficient
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Integrated NTC temperature sensor
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Copper Base Plate
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Standard Housing

Benefits:

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Compact module concept
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Optimized customer’s development cycle time and cost
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Configuration flexibility
FP150R07N3E4_B11数据文档
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FP150R07N3E4_B11

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