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30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 1.0 x 0.6mm、67mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

这种 30V、54mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。

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低导通电阻

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低 Qg和 Qgd

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低阈值电压

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超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）

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1.0mm × 0.6mm

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超薄

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高度为 0.35mm

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集成型静电放电 ESD 保护二极管

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额定值 > 3kV 人体模型 HBM

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额定值 > 2kV 充电器件模型 CDM

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无铅且无卤素

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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了 优化

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针对通用开关应用进行了 优化

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单节电池 应用

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手持式和移动类 应用

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