CMT2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 024V 密度电池设计极低的RDS
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V
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最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20v
最大漏极电流Id Drain Current| 115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 75Ω/Ohm 50mA,5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W
Description & Applications| High Density Cell Design for Low RDSON Voltage Controlled Small Signal Switch Rugged and Reliable High Saturation Current Capability
描述与应用| 高密度电池设计低RDS（ON） 电压控制小信号开关 坚固可靠 高饱和电流能力