特点*低VCE（饱和）。VCE（饱和）= 0.25V（IC / IB= 4A/0.1A）*优异的DC电流增益特性。？结构外延平面型NPN硅晶体管
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | features| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| 2SD2098 T100S | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| 2SD2143TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| 2SD2012 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| 2SD225900A | Panasonic 松下 | 下载 |
| 2SD22490RA | Panasonic 松下 | 下载 |
| 2SD235800A | Panasonic 松下 | 下载 |
| 2SD21390PA | Panasonic 松下 | 下载 |
| 2SD2704KT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| 2SD2114KT146V | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| 2SD2654TLV | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| 2SD2226KT146V | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |