TO-220SIS N-CH 600V 13A
• Low drain-source ON resistance: RDS ON= 0.32 Ωtyp.
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.5 S typ.
• Low leakage current: IDSS= 100 μA VDS= 600 V
• Enhancement model: Vth= 2.0 to 4.0 V VDS= 10 V, ID= 1 mA
Win Source:
Silicon N-Channel MOS Type
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| 2SK3797 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK3569 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK3738-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK33720SL | Panasonic 松下 | 下载 |
| 2SK3796-3-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK3320-GRTE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK3796-2-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK3666-4-TB-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK33720RL | Panasonic 松下 | 下载 |