IKW50N65H5数据手册PDF_IKW50N65H5中文资料-锐单商城

IKW50N65H5概述

INFINEON IKW50N65H5 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

极低的 VCEsat

低断开损耗

短尾线电流

低 EMI

最大接点温度为 175°C

立创商城:
IKW50N65H5

贸泽:
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

儒卓力:
**IGBT 650V 50A 1.65V TO247-3 **

IKW50N65H5数据文档