2SD2185-R数据手册PDF_2SD2185-R中文资料-锐单商城

2SD2185-R概述

2SD2185-R NPN三极管 50V 3A 110MHz 120~240 150mV/0.15V SOT-89/SC-62 marking/标记 IHR 低频输出放大

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 110MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~240 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications

.: Silicon NPN epitaxial planer type *low-frequency output amplification *Complementary to 2SB1440 features *Low collector to emitter saturation voltage VCEsat *Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automAtic insertion through the tape packing and the mAgazine packing 描述与应用| *NPN硅外延平面型 *低频输出放大 *互补2SB1440 特点 *低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） *迷你功率型封装，让瘦身的设备 *通过自动插入带包装盒包装

2SD2185-R详细参数

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