硅N沟道MOS场效应管高速开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
Features
• Low on-resistance
RDS= 2.7Ω typ. VGS= 10 V, ID= 50 mA
RDS= 4.7Ω typ. VGS= 4 V, ID= 20 mA
• 4 V gate drive device.
• Small package CMPAK
立创商城:
2SK3378ENTL-E
得捷:
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Win Source:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| 2SK3378ENTL-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| 2SK3569 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK3738-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK33720SL | Panasonic 松下 | 下载 |
| 2SK3796-3-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK3320-GRTE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK3796-2-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK3666-4-TB-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 2SK33720RL | Panasonic 松下 | 下载 |