INFINEON BSP324 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 400 V, 13.6 ohm, 10 V, 1.9 V
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 400V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 170mA/0.17A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 22Ω/Ohm @50mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.8W Description & Applications| · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated 描述与应用| ·N沟道 ·增强模式 ·逻辑电平 ·dv / dt的额定
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 400 V, 170 mA, 13.6 ohm, SOT-223, 表面安装
Newark:
# INFINEON BSP324 MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 400 V, 13.6 ohm, 10 V, 1.9 V
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BSP324 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSP320SL6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSP324L6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSP320SH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSP32,115 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSP321PH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSP315PE6327T | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSP300 L6327 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSP31,115 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSP315P | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSP316PL6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |