FM25VN10-G

F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

F-RAM，

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

得捷:
IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC

立创商城:
FM25VN10-G

欧时:
Cypress Semiconductor FM25VN10-G 1Mbit SPI FRAM 存储器, 128K x 8 位, 2 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 8引脚

艾睿:
FRAM 1Mbit Serial-SPI Interface 2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N Tube

安富利:
NVRAM FRAM Serial-SPI 1M-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC

Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-SPI 1M-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC

Verical:
FRAM 1Mbit Serial-SPI Interface 2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N Tube