硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance RDSon = 0.036 Ω typ. at ID = 22.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C
• Low leakage current
• High speed switching
Win Source:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| RJK2017DPE-00-J3 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| RJK2055DPA-00#J0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
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| RJK2057DPA-00#J0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
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| RJK2006DPE-00#J3 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
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