IPD30N08S2L21ATMA1

INFINEON  IPD30N08S2L21ATMA1  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 30 A, 75 V, 0.0159 ohm, 10 V, 1.6 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装（无铅）

超低 Rdson

得捷:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

立创商城:
N沟道 75V 30A

欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N08S2L21ATMA1, 30 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

贸泽:
MOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252, 表面安装

艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Infineon Technologies&s; IPD30N08S2L21ATMA1 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 136000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This device utilizes optimos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Newark:
# INFINEON  IPD30N08S2L21ATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 75 V, 0.0159 ohm, 10 V, 1.6 V