LND01 N 通道 MOSFET 晶体管Microchip LND01 为低阈值、消耗模式（常开）MOSFET 晶体管。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。### 特点双向 低接通电阻 低输入电容 切换速度快 高输入阻抗和高增益 低电源驱动要求 易于执行并联操作 ### MOSFET 晶体管，Microchip
LND01 N 通道 MOSFET
LND01 为低阈值、消耗模式（常开）MOSFET 晶体管。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。
### 特点
双向
低接通电阻
低输入电容
切换速度快
高输入阻抗和高增益
低电源驱动要求
易于执行并联操作
### MOSFET 晶体管，Microchip
得捷:
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
欧时:
### LND01 N 通道 MOSFET 晶体管Microchip LND01 为低阈值、消耗模式（常开）MOSFET 晶体管。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。### 特点双向 低接通电阻 低输入电容 切换速度快 高输入阻抗和高增益 低电源驱动要求 易于执行并联操作 ### MOSFET 晶体管，Microchip
贸泽:
MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode
艾睿:
Compared to traditional transistors, LND01K1-G power MOSFETs, developed by Microchip Technology, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 360 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in depletion mode. This MOSFET transistor has a maximum operating temperature of 125 °C.
Allied Electronics:
MOSFET, LATERAL N-CHANNEL DEPLETION-MODE5 SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 9V 0.33A 5-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 9V 0.33A 5-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5