2SK3669

2SK3669 N沟道场效应管 100V 10A TO252 代码 K3669 增强模式 开关稳压器，音频放大器

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 100V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 10A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.095Ω/Ohm @5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 3~5V 耗散功率Pd Power Dissipation | 20W Description & Applications | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type π-MOS VII Switching Regulators, for Audio Amplifier and Motor Drive Applications Features Switching Regulators, for Audio Amplifier and Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance: RDS ON = 95 mΩ typ. High forward transfer admittance: |Yfs| = 6 S typ. Low leakage current: IDSS = 100 μA max VDS = 100 V Enhancement-mode : Vth = 3.0 to 5.0 V VDS = 10 V, ID = 1 mA 描述与应用 | 场效应晶体管的硅N沟道MOS类型（π-MOS七的） 开关稳压器，音频放大器和电机驱动应用 特性 开关稳压器，音频放大器和电机 驱动应用 低漏源导通电阻RDS（ON）= 95mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=6 S（典型值） 低漏电流：IDSS= 100μA（最大值）（VDS= 100 V） 增强模式：VTH =3.0到5.0 V（VDS=10 V，ID= 1mA）