2SA1603R

2SA1603R PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 200MHz 180~390 -300mV/-0.3V SOT-323/SC-70 marking/标记 TR 低频放大

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPEmini type FEATURE ●Small collector to emitter saturation voltage. VCEsat=-0.3V max（@Ic=-100mA,IB=-10mA） ●Excellent linearity of DC forward gain. ●Super mini package for easy mounting APPLICATION For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application 描述与应用| 对于低频放大应用 硅PNP外延型（迷你型） 特点 ●小集电极到发射极饱和电压。                     VCE（sat）=-0.3V最大（@ IC =100mA时IB=-10mA的） ●直流前锋出色的线性度获得。 ●超小型封装，便于安装 应用 对于混合集成电路，小型机低频电压 放大应用