BSP122

BSP122概述

BSP122 N沟道MOSFET 200V 550mA/0.55A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP122 甚高频应用

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 200V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 550mA/0.55A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0025Ω/Ohm @750mA,10v 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.5W Description & Applications| N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor Direct interface to C-MOS, TTL,etc. • High-speed switching • No secondary breakdown. 描述与应用| N沟道增强模式 垂直D-MOS晶体管 直接接口的C-MOS,TTL,等等 •高速开关 •无二次击穿

BSP122数据文档
型号 品牌 下载
BSP122

NXP 恩智浦

下载
BSP19AT1G

ON Semiconductor 安森美

下载
BSP16T1G

ON Semiconductor 安森美

下载
BSP123E6327T

Infineon 英飞凌

下载
BSP135L6906HTSA1

Infineon 英飞凌

下载
BSP129H6906XTSA1

Infineon 英飞凌

下载
BSP171P

Infineon 英飞凌

下载
BSP171P L6327

Infineon 英飞凌

下载
BSP135 H6327

Infineon 英飞凌

下载
BSP129 L6327

Infineon 英飞凌

下载
BSP130,115

NXP 恩智浦

下载

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台