NXP BZX585-C12 单管二极管 齐纳, 12 V, 300 mW, SOD-523, 5 %, 2 引脚, 150 °C 新
额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 11.4V \---|--- 平均Typ.| 12V 最大max.| 12.6V 误差Tolerance| 5% 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 2Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.1uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| • Voltage regulator diodes • Total power dissipation: max. 300 mW • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max.40 W. • Low-power voltage regulator diodes 描述与应用| 电压稳压 •总功耗：最大。 300毫瓦 •非重复性峰值反向功耗：最大40 W。 •低功耗稳压二极管
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BZX585-C12 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BZX55C5V6 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| BZX55C20 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| BZX55C18 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C4V7 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C5V6 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C15 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C4V3 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C10 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C8V2 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C5V1 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |