BSS119NH6327XTSA1

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™ 小信号 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

得捷:
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS119NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装

立创商城:
N沟道 100V 190A

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 2.406 ohm, 10 V, 1.9 V

艾睿:
Make an effective common source amplifier using this BSS119NH6327XTSA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23